Электрооптические модуляторы интенсивности серии R-AM (1064 нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на ниобате лития (LiNbO₃) с полосой пропускания 300 МГц, 10 ГГц
Применение
- Генерация и формирование лазерных импульсов
- Лидары и лазерные дальномеры
- Лазерная спектроскопия
- Квантовая оптика и квантовые коммуникации
- Интерферометрические измерительные системы
- Микроволновая фотоника
- Волоконно-оптические измерительные комплексы
- Научные исследования и лабораторные установки
Описание
Серия электрооптических модуляторов интенсивности R-AM на ниобате лития (LiNbO₃) для рабочей длины волны 1064 нм от компании Rofea Optoelectronics.
В основе модуляторов лежит интерферометрическая схема Маха–Цендера (Mach–Zehnder) с Push-Pull-управлением, обеспечивающая высокую эффективность модуляции, отличную линейность и стабильность параметров.
В основе модуляторов лежит интерферометрическая схема Маха–Цендера (Mach–Zehnder) с Push-Pull-управлением, обеспечивающая высокую эффективность модуляции, отличную линейность и стабильность параметров.
| Модель | Полоса пропускания | Vπ RF (тип.) | Вносимые потери | Коэффициент экстинкции (DC) | Особенности |
|
R-AM 1064 300M |
300 МГц | 3.5 В | 4–5 дБ | 20 дБ | Низкочастотная модель |
|
R-AM 1064 2.5G |
2,5 ГГц |
~4 В |
4–5 дБ | 20 дБ | Универсальная |
|
R-AM 1064 10G |
10-12 ГГц | 3.5–4 В | 4–5 дБ | 20 дБ | Высокоскоростная |
|
R-AM 1064 20G |
до 20 ГГц |
~4–4.5 В |
4–5 дБ | 20 дБ | Максимальная полоса в серии |
Ключевые преимущества серии R-AM
- Низкие вносимые потери (типично 4 дБ)
- Высокий коэффициент экстинкции
- Низкое полуволновое напряжение (Vπ)
- Надёжная конструкция на основе MZ-структуры
- Высокая долговременная стабильность рабочих характеристик
- Возможность кастомизации (волокно, разъёмы, наличие PD)
Компания ИМКОР поставляет электрооптические модуляторы Rofea Optoelectronics на территории России. Мы предлагаем выгодные условия поставки и полную техническую поддержку. За дополнительной информацией и коммерческими условиями обращайтесь к нашим специалистам
Другие модели
-
TFLN-модуляторы интенсивности 40 ГГцНапряжение полуволны ≤ 3.5 В, диапазон C-band (1530–1565 нм)
-
Модуляторы интенсивности R-AM 40G1550нм, полоса пропускания 40 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции 20–45 дБ
-
1550нм, полоса пропускания 10-12 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции > 40 дБ
-
TFLN фазовые модуляторы 20 ГГцДлина волны 1550нм, напряжение полуволны 3.0 В, полоса пропускания 18–20 ГГц
-
Фазовые модуляторы R-PM 2 ГГц1064нм, полоса пропускания 2 ГГц, вносимые потери 2.5–3 дБ
-
850нм, полоса пропускания 10 ГГц, вносимые потери 2.5–3 дБ
-
780нм, полоса пропускания 10 ГГц, вносимые потери 2.5–3 дБ
Не нашли оборудование под вашу задачу?
Подберем решение и рассчитаем сроки и условия поставки
