Электрооптический модулятор интенсивности R-AM (850 нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на ниобате лития (LiNbO₃) на 850нм с полосой 10 ГГц, низким Vπ и высокой стабильностью.
Применение
- Космические оптические системы связи
- Генерация и формирование лазерных импульсов
- Квантовая оптика и квантовые коммуникации
- Цезиевые атомные стандарты частоты
- Лазерные измерительные системы
- Научно-исследовательские и лабораторные комплексы
Описание
Электрооптический модулятор интенсивности серии R-AM на ниобате лития (LiNbO₃) с рабочей длиной волны 850 нм и полосой пропускания 10 ГГц от компании Rofea Optoelectronics.
В основе модуляторов лежит интерферометрическая схема Маха–Цендера (Mach–Zehnder) с Push-Pull-управлением, обеспечивающая высокую эффективность и стабильность высокоскоростной электрооптической модуляции.
В основе модуляторов лежит интерферометрическая схема Маха–Цендера (Mach–Zehnder) с Push-Pull-управлением, обеспечивающая высокую эффективность и стабильность высокоскоростной электрооптической модуляции.
| Параметр | Значение |
| Рабочая длина волны | 830–870 нм (центр 850 нм) |
| Полоса пропускания (−3 дБ) | 10 ГГц (типично 12 ГГц) |
| Вносимые потери | Типично 4.5 дБ (макс. 5 дБ) |
| Коэффициент экстинкции | ≥ 20 дБ (тип. 23 дБ) |
| Vπ RF (@1 кГц) | Типично 2.5 В (макс. 3 В) |
| Vπ Bias | Типично 3 В (макс. 4 В) |
| Оптический возвратный потери | ≤ −45 дБ |
| Электрический разъём | SMA(f) |
| Волокно | PM 780 нм (вход/выход) |
Ключевые преимущества серии R-AM
- Низкие вносимые потери
- Низкое полуволновое напряжение
- Стабильность параметров при длительной эксплуатации
- Возможность кастомизации (волокно, разъёмы)
- Подходит как для лабораторных, так и для промышленных применений
Компания ИМКОР поставляет электрооптические модуляторы Rofea Optoelectronics на территории России. Мы предлагаем выгодные условия поставки и полную техническую поддержку. За дополнительной информацией и коммерческими условиями обращайтесь к нашим специалистам
Другие модели
-
TFLN-модуляторы интенсивности 40 ГГцНапряжение полуволны ≤ 3.5 В, диапазон C-band (1530–1565 нм)
-
Модуляторы интенсивности R-AM 50G1550нм, полоса пропускания 50 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции 20–45 дБ
-
1550нм, полоса пропускания 10-12 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции > 40 дБ
-
1310нм, полоса пропускания 2,5 ГГц, вносимые потери 4 дБ, коэффициент экстинкции > 20 дБ
-
1064нм, полоса пропускания 300 MГц, вносимые потери 4 дБ, коэффициент экстинкции 20 дБ
-
1064нм, полоса пропускания 2,5 ГГц, вносимые потери 4 дБ, коэффициент экстинкции 20 дБ
-
TFLN фазовые модуляторы 40 ГГцДлина волны 1550нм, напряжение полуволны 3.0 В, полоса пропускания 36–40 ГГц
-
Фазовые модуляторы R-PM 780нм780нм, полоса пропускания 10 ГГц, вносимые потери 2.5–3 дБ
Не нашли оборудование под вашу задачу?
Подберем решение и рассчитаем сроки и условия поставки
