TFLN Тонкопленочные модуляторы интенсивности на основе ниобата лития (1550нм)
- Волоконно-оптические системы связи
- Когерентные телекоммуникационные сети
- Микроволновая фотоника
- LiDAR, метрология и научные исследования
В основе серии лежит технология Thin-Film Lithium Niobate (TFLN, LNOI), которая сочетает высокие электрооптические свойства ниобата лития с преимуществами интегральной фотоники. Благодаря этому достигаются высокая скорость работы, низкие оптические потери и сниженное управляющее напряжение по сравнению с традиционными модуляторами на объемном кристалле.
Устройства обеспечивают:
- высокоскоростную модуляцию оптического сигнала;
- стабильную работу в широком диапазоне частот;
- низкий уровень оптических потерь;
- высокую линейность передачи сигнала;
- совместимость с современными волоконно-оптическими системами.
Конструкция волновода обеспечивает эффективную передачу оптического сигнала с минимальным затуханием, что повышает общую эффективность лазерной системы.
Модуляторы отличаются небольшим полуволновым напряжением (Vπ), благодаря чему уменьшается нагрузка на драйверы и снижается энергопотребление системы.
Технология TFLN позволяет существенно уменьшить размеры модулятора без ухудшения рабочих характеристик, что особенно важно при создании современных фотонных интегральных схем.
Серия включает 5 моделей, отличающиеся максимальной рабочей полосой пропускания, что позволяет подобрать решение как для стандартных систем передачи данных, так и для высокоскоростных оптических сетей и научного оборудования.:
- 20 ГГц: научные исследования, измерительные комплексы, стандартные системы передачи данных
- 25 ГГц: сети передачи данных 25G, дата-центры, современные телекоммуникационные системы
- 40 ГГц: когерентные оптические сети, DWDM-системы, микроволновая фотоника, высокоскоростные исследовательские комплексы
- 70 ГГц: сверхвысокоскоростная связь, СВЧ-фотоника
- 110 ГГц: 800G+ / 1.6T системы, исследовательские задачи
-
TFLN-модуляторы интенсивности 20 ГГцНапряжение полуволны 2.0–2.5 В, диапазон C-band + O-band (кастом)
-
Напряжение полуволны ~3.0 В, диапазон C-band (~1550 нм)
-
Напряжение полуволны ≤ 3.5 В, диапазон C-band (1530–1565 нм)
-
Модуляторы интенсивности R-AM 10G1550нм, полоса пропускания 10 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции 20–45 дБ
-
1550нм, полоса пропускания 50 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции 20–45 дБ
-
1550нм, полоса пропускания 10-12 ГГц, вносимые потери 4–5 дБ, коэффициент экстинкции > 40 дБ
-
TFLN фазовые модуляторы 20 ГГцДлина волны 1550нм, напряжение полуволны 3.0 В, полоса пропускания 18–20 ГГц
-
Фазовые модуляторы R-PM 300 МГц1064нм, полоса пропускания 300 МГц, вносимые потери 2.5–3 дБ
Не нашли оборудование под вашу задачу?
Подберем решение и рассчитаем сроки и условия поставки
