Оптические компоненты, модуляторы
-
Акустооптические модуляторы с волоконным вводом/выводом
Акустооптические модуляторы с широким диапазоном длин волн (400–2000 нм) для высокоскоростного управления лазерным излучением в волоконно-оптических системах
Подробнее -
Акустооптические модуляторы (free space)
Акустооптические модуляторы с выводом в свободной пространство для высокоскоростного управления лазерным излучением в открытом оптическом тракте
Подробнее -
Акустооптический модулятор R-532
Акустооптические модуляторы серии R-532 для высокоскоростного управления лазерным излучением с помощью акустических волн
Подробнее -
Тонкоплёночные фазовые модуляторы (TFLN) на ниобате лития (1550нм)
Электрооптические фазовые модуляторы на основе тонкопленочного ниобата лития (1550нм) с высокой скоростью модуляции, низким управляющим напряжением
Подробнее -
Электрооптический фазовый модулятор R-PM (1310нм)
Электрооптический фазовый модулятор на ниобате лития (LiNbO₃) с рабочей длиной волны 1310 нм с низким полуволновым напряжением
Подробнее -
Электрооптические фазовые модуляторы R-PM (1064 нм)
Электрооптические фазовые модуляторы на ниобате лития (LiNbO₃) на 1064 нм с низким полуволновым напряжением
Подробнее -
Электрооптический фазовый модулятор R-PM (850нм)
Электрооптический фазовый модулятор на ниобате лития (LiNbO₃) с рабочей длиной волны 850 нм с низким полуволновым напряжением
Подробнее -
Электрооптический фазовый модулятор R-PM (780нм)
Электрооптический фазовый модулятор на ниобате лития (LiNbO₃) с рабочей длиной волны 780 нм с низким полуволновым напряжением
Подробнее -
Электрооптический модулятор интенсивности R-AM (850 нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на ниобате лития (LiNbO₃) на 850нм с полосой 10 ГГц, низким Vπ и высокой стабильностью.
Подробнее -
Электрооптические модуляторы интенсивности серии R-AM (1064 нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на ниобате лития (LiNbO₃) с полосой пропускания 300 МГц, 10 ГГц
Подробнее -
Электрооптический модулятор интенсивности R-AM (1310нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на ниобате лития (LiNbO₃) на 1310нм с низкими потерями и стабильными характеристиками
Подробнее -
Электрооптические модуляторы интенсивности серии R-AM (1550нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на объёмном ниобате лития (LiNbO₃) с полосой пропускания 10 ГГц, 20 ГГц, 40 ГГц, 50 ГГц
Подробнее -
TFLN Тонкопленочные модуляторы интенсивности на основе ниобата лития (1550нм)
Электрооптические модуляторы интенсивности на основе технологии Thin-Film Lithium Niobate (TFLN) предназначены для высокоскоростной модуляции оптического сигнала с минимальными потерями и низким управляющим напряжением
Подробнее
Не нашли оборудование под вашу задачу?
Подберем решение и рассчитаем сроки и условия поставки